接近式光刻機又名：曝光系統，光刻系統等，是一種用于信息科學與系統科學、能源科學技術、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器。其工作方式是通過光的作用，將掩模版上的電路圖形投影到產品表面光刻膠上，然后顯影出圖形，最后經過蝕刻、離子植入等制程定型形成有效的電路。

 

　　工作原理：

　　接近式光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，不同光刻機的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。

　　一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經過一次光刻的芯片可以繼續涂膠、曝光。越復雜的芯片，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。現在先進的芯片有30多層。

 

　　性能指標：

　　接近式光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

　　分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。

　　對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

　　曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

　　曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。